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晶圆形貌量测设备

简要描述:WD4000晶圆形貌量测设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术,完成非接触式扫描并建立3D Mapping图,实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。

  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-07-18
  • 访  问  量:393

详细介绍

品牌中图仪器产地国产
加工定制

WD4000晶圆形貌量测设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术,完成非接触式扫描并建立3D Mapping图,实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。通过非接触测量,将晶圆的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度,TTV,BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。

晶圆形貌量测设备

WD4000晶圆形貌量测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。

1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数,同时生成Mapping图;

2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像,显示2D剖面图和3D立体彩色视图,高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数;

3、基于白光干涉图的光谱分析仪,通过数值七点相移算法计算,达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度,实现膜厚测量功能;

4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此计算出两表面间的距离(即厚度),可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度,包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。

晶圆形貌量测设备

WD4000可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面,从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等,提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。


测量功能

1、厚度测量模块:厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、显微形貌测量模块:粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。

3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能;纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能;滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能;提取包括提取区域和提取剖面等功能。

4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等;粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数;结构分析包括孔洞体积和波谷。


应用场景

1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量

晶圆形貌量测设备

通过非接触测量,将晶圆上下面的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV),有效保护膜或图案的晶片的完整性。


2、无图晶圆粗糙度测量

晶圆形貌量测设备

Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像,用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片,细磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次测量数据计算重复性为0.046987nm,测量稳定性良好。


部分技术规格

型号WD4200
厚度和翘曲度测量系统
可测材料砷化镓 、氮化镓 、磷化 镓、锗、磷化铟、铌 酸 锂 、蓝宝石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等
测量范围
150μm~2000μm
测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)  、LTV 、BOW、WARP  、平面度、线粗糙度
三维显微形貌测量系统
测量原理白光干涉
测量视场0.96mm×0.96mm
可测样品反射率
0.05%~ 100%
测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大 类300余种参数
系统规格
晶圆尺寸4"  、6"  、8"  、 12"
晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台
X/Y/Z工作台行程
400mm/400mm/75mm
工作台负载≤5kg
外形尺寸1500× 1500×2000mm
总重量约 2000kg

恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。

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