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半导体晶圆几何量测设备

简要描述:中图仪器WD4000半导体晶圆几何量测设备可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。通过非接触测量,将晶圆的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度,TTV,BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。

  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-02-27
  • 访  问  量:194

详细介绍

品牌中图仪器产地国产
加工定制

中图仪器WD4000半导体晶圆几何量测设备可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。通过非接触测量,将晶圆的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度,TTV,BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。

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测量功能

1、厚度测量模块:厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、显微形貌测量模块:粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。

3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能;纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能;滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能;提取包括提取区域和提取剖面等功能。

4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等;粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数;结构分析包括孔洞体积和波谷。

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WD4000半导体晶圆几何量测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。

1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数,同时生成Mapping图;

2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像,显示2D剖面图和3D立体彩色视图,高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数;

3、基于白光干涉图的光谱分析仪,通过数值七点相移算法计算,达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度,实现膜厚测量功能;

4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此计算出两表面间的距离(即厚度),可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度,包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。

产品优势

1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量

集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组,使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。

2、高精度厚度测量技术

(1)采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。

(2)搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘,晶圆规格最大可支持至12寸。

(3)采用Mapping跟随技术,可编程包含多点、线、面的自动测量。

3、高精度三维形貌测量技术

(1)采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;

(2)隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声,获得高测量重复性。

(3)机器视觉技术检测图像Mark点,虚拟夹具摆正样品,可对多点形貌进行自动化连续测量。

4、大行程高速龙门结构平台

(1)大行程龙门结构(400x400x75mm),移动速度500mm/s。

(2)高精度花岗岩基座和横梁,整体结构稳定、可靠。

(3)关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动,搭配分辨率0.1μm的光栅系统,保证设备的高精度、高效率。

5、操作简单、轻松无忧

(1)集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄,可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。

(2)具备双重防撞设计,避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。

(3)具备电动物镜切换功能,让观察变得快速和简单。


部分技术规格

品牌CHOTEST中图仪器
型号WD4000系列
测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等
厚度和翘曲度测量系统
可测材料砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
测量范围150μm~2000μm
扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点
测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度
三维显微形貌测量系统
测量原理白光干涉
干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)
可测样品反射率0.05%~100
粗糙度RMS重复性0.005nm
测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数
膜厚测量系统
测量范围90um(n= 1.5)
景深1200um
最小可测厚度0.4um
红外干涉测量系统
光源SLED
测量范围37-1850um
晶圆尺寸4"、6"、8"、12"
晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台
X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm

请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。

如有疑问或需要更多详细信息,请随时联系中图仪器咨询。

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