无损测量芯片晶圆薄膜厚度设备

您是否在半导体芯片制造、外延生长、封装减薄等核心工艺中，面临着“精度不足误判工艺、接触测量损工件、多层膜量测失真"等导致的高价值芯片报废、良率下滑难题？WD4000无损测量芯片晶圆薄膜厚度设备，以“无损"核心优势，精准芯片晶圆薄膜厚度，为半导体企业提供“精准、安全、高效"的全流程解决方案。

一、无损测量的硬核技术

1. 非接触光学测量架构：集成光谱共焦对射技术、白光干涉光谱分析技术，搭配红外传感器，全程无硬质接触、无探针损伤；

2. 亚纳米级量测算法：搭载数值七点相移算法，Z向分辨率达0.1nm，精准捕捉纳米级薄膜厚度变化；

3. 多层/多材质适配设计：红外传感器通过干涉原理计算多层膜间距，兼容碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅、玻璃片等材质，适配键合晶圆、外延片等多层结构；

4. 一体化集成模块：同步覆盖薄膜厚度、TTV（总体厚度变化）、LTV、BOW、WARP、表面粗糙度等多参数测量，支持自动上下料与CCD Mark定位巡航。

二、无损技术带来的四大核心突破

1. 无损测量，杜绝工件损伤：相较于传统接触式探针测量，光学非接触设计避免划伤精密晶圆表面、破坏脆弱薄膜层，从源头减少高价值芯片报废；

2. 精度拉满，数据零偏差：亚纳米级分辨率+七点相移算法，可精准识别最小纳米级薄膜厚度波动，避免因量测误差导致的工艺误判；

3. 全场景适配，无测量盲区：红外传感器+光谱共焦双技术协同，轻松破解多层膜、低反射率、粗糙表面晶圆的量测难题，覆盖半导体前中后道全工艺；

4. 高效集成，降本提效：WD4000无损测量芯片晶圆薄膜厚度设备多参数一体测量无需设备切换，自动上下料+500mm/s高速移动，大幅缩短检测周期，适配批量生产场景。

三、直击您的核心诉求，解决您的实际生产难题

四、无损量测的实测数据

（注：本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，如需获取新产品技术信息可咨询客服获取。）

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